富士通近日宣布了2 Mbit Ferroelectric RAM (鐵電隨機存儲器，簡稱FRAM或FeRAM)內(nèi)存芯片的問世。該產(chǎn)品的電氣特性和之前該公司的1 Mbit FeRAM一樣，也采用相同的TSOP-48封裝，但容量提高到原來的兩倍。

FeRAM是一種非易失性內(nèi)存，利用一種鐵電薄膜來存儲數(shù)據(jù)，寫入速度比閃存更快，而功率則更低，寫入次數(shù)更多。
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富士通表示FeRAM可以用于智能電表、辦公設(shè)備存儲事件計數(shù)，或者存儲每個事件的不同參數(shù)及日志，而不必考慮寫入次數(shù)問題。FeRAM允許100億次讀寫周期，相當于每秒寫入30次持續(xù)10年。另外，F(xiàn)eRAM無需電池就可以將數(shù)據(jù)保存10年以上。

FeRAM另一個理想的應(yīng)用是車輛導(dǎo)航系統(tǒng)、多功能打印機、測量儀器等等非易失性內(nèi)存用于存儲各種參數(shù)、記錄設(shè)備操作環(huán)境或者安全信息的領(lǐng)域。