富士通微電子(美國)公司日前推出兩款1Mb容量的FeRAM (鐵電存儲器)，分別是MB85R1001 (×8位)和MB85R1002 (×16位)。它們均采用最新的0.35μm 1T1C單元技術(shù)開發(fā)，具有讀寫速度快、功耗低且數(shù)據(jù)保存持久的特點。

富士通公司稱，上述兩款FeRAM的設(shè)計完全適合用作智能電表、辦公設(shè)備(包括打印機、復(fù)印機和便攜資料處理設(shè)備)及家用電器(如微波爐和洗衣機)中的非易失性存儲器。此器件兼具RAM和ROM的特點，支持包括存儲安全信息及狀態(tài)監(jiān)控等功能。

其中MB85R1001 FeRAM存儲格式為128K字×8，而MB85R1002為64K字×16。這兩款器件的工作電源電壓在3V至3.6V之間，讀取時間為100ns，讀寫周期為250ns。數(shù)據(jù)保持時間超過10年，可存取次數(shù)大于100億，工作溫度范圍為-40℃到85℃。